pg电子官网功率MOSFET的工作原理-- [t1-t2]区间,MOSFET 的DS 电流增加,Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电,对GS 电容的充电影响不大;
-- [t2-t3]区间,至t2 时刻,MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压,Millier 电容大大增加,外部驱动电压对Millier 电容进行充电,GS 电容的电压不变,Millier 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小;
-- [t3-t4]区间,至t3 时刻,MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压,Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电,GS 电容的电压上升,至t4 时刻为止。此时GS 电容电压已达稳态,DS 电压也达最小,即稳定的通态压降。
-- [t5-t6]区间,MOSFET 的Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降,在t6 时刻,MOSFET 的通态电阻微微上升,DS 电压梢稍增加,但DS 电流不变;
-- [t7-t8]区间,至t7 时刻,MOSFET 的DS 电压升至与Vgs 相同的电压,Millier 电容迅速减小pg电子官网,GS 电容开始继续放电,此时DS 电容上的电压迅速上升,DS 电流则迅速下降;
-- [t8-t9]区间pg电子官网,至t8 时刻,GS 电容已放电至Vth,MOSFET 完全关断;该区间内GS 电容继续放电直至零。
为MOSFET 器件与二极管回路中的所有分布电感只和。一般也可将这个损耗看成器件的感性关断损耗。
(C)从所选的MOSFET 的参数,如正向通态电阻,结电容等等,估算其工作时的最大损耗,与元器件的损耗一起,估算变换器的效率;
目前作为开关的电子器件非常多。在开关电源中,用得最多的是二极管、MOSFET、IGBT 等,以及它们的组合pg电子官网。
Copyright © 2002-2025 PG电子(中国)官方网站 版权所有 非商用版本HTML地图 XML地图txt地图 备案号:冀ICP备18038649号-1