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pg电子最新网站入口台积电取得半导体器件及其形成方法专利实现晶体管和电阻器的优化

发布日期:2024-07-08 13:23 浏览次数:

  pg电子最新网站入口台积电取得半导体器件及其形成方法专利实现晶体管和电阻器的优化连接金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“,授权公告号CN111627906Bpg电子最新网站入口,申请日期为2020年2月。

  专利摘要显示,一种半导体器件包括晶体管和电阻器。晶体管串联连接在电源端子和接地端子之间,并且晶体管的栅极端子连接在一起。电阻器覆盖在晶体管上方。电阻器连接在晶体管的源极端子和接地端子之间pg电子最新网站入口。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法pg电子最新网站入口

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