pg电子最新网站入口华为公司申请半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备专

　　pg电子最新网站入口华为公司申请半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备专利用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响金融界2024年4月26日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备“pg电子官网，公开号CN117941074A，申请日期为2021年9月pg电子官网。

　　专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域pg电子官网，用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，依次层叠设置于衬底上；源极、栅极和漏极，设置于势垒层上；背孔，贯穿从衬底至源极下方的势垒层区域；背面导电层，覆盖于背孔和衬底的背面，源极与背面导电层接触连接。