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pg电子最新网站入口华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅

发布日期:2024-08-15 21:20 浏览次数:

  pg电子最新网站入口华为哈勃投资天域半导体:发力第三代半导体材料碳化硅华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司,后者注册资本也从9027万元增加到9770万元,增幅8%

  据悉,东莞市天域半导体成立于2009年,位于松山湖高新技术产业园区,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业pg电子最新网站入口

  2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”,目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备,生产技术达到国际先进水平。

  至于深圳哈勃科技,华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%pg电子最新网站入口、哈勃科技出资1%,今年4月刚刚成立。

  所谓第三代半导体,主要是二十一世纪以来以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)pg电子最新网站入口、金刚石四种为代表的半导体材料,即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅(Si)、锗元素(Ge),第二代主要是化合物半导体材料。

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