pg电子官网上海积塔半导体申请顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件专利有效去除刻蚀副

　　pg电子官网上海积塔半导体申请顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件专利有效去除刻蚀副产物并保护最表层金属层金融界 2024 年 8 月 21 日消息，天眼查知识产权信息显示pg电子官网，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件“，公开号 CN2.8，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，本公开提供了一种顶部钝化层的刻蚀方法及半导体器件，其中刻蚀方法包括在顶部钝化层的表面通过光刻胶定义最表层金属层的露出区域；根据露出区域，自顶部钝化层的表面对顶部钝化层进行第一次刻蚀，以形成第一刻蚀槽；去除第一刻蚀槽中残留的副产物；根据露出区域，自第一刻蚀槽继续对顶部钝化层进行第二次刻蚀，直至露出最表层金属层以形成第二刻蚀槽；去除第二刻蚀槽中残留的副产物。本公开提供的技术方案在顶部钝化层的完整刻蚀过程中设置两次间隔的刻蚀操作pg电子官网，并在第一次刻蚀操作和第二次刻蚀操作间加入了一次副产物去除工艺，能够有效去除残留在刻蚀通道内的刻蚀副产物，同时保护最表层金属层不受副产物去除工艺的影响而造成损伤pg电子官网。