pg电子官网半导体氧化镓蓄势待发！

　　pg电子官网半导体氧化镓蓄势待发！P型氧化镓的制造，并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二极体，结果展示出优异的电性表现，这一突破性技术除了能大幅提升元件的稳定性和可靠性，并显著降低电阻。

　　论文详细阐述了这种新型Ga2O3 PN二极体的制作过程和性能特征。实验结果显示，该元件具有4.2 V的开启电压和900 V的击穿电压，展现出元件优异的高压耐受性能。

　　资料显示，氧化镓作为半导体材料代表，具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好（几乎是碳化硅的10倍）、材料生长成本低等优势，这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车pg电子官网pg电子官网、电网系统、航空航天等高功率应用场景。

　　鸿海认为，氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅竞争。展望未来，鸿海研究院表示，随着氧化镓技术的进一步发展，可以期待其在更多高压、高温和高频领域中有更广泛应用。

　　日本相关厂商已经实现了4英寸与6英寸氧化镓的产业化发展，2023年底，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓单晶。

　　美国Kyma科技公司在氧化镓基片、外延晶片和器件的生产上具有优势pg电子官网，并且与美国国防部达成紧密的合作关系。

　　我国同样也在加速布局氧化镓，并取得了一系列重要研究成果。去年2月，中国电科46所成功制备出6英寸氧化镓单晶，技术达到了国际一线月，北京铭镓半导体有限公司实现了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，推出多规格氧化镓单晶衬底并首发4英寸(100)面单晶衬底参数。

　　今年3月，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。同年7月，镓仁半导体制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。

　　在β-Ga2O3薄膜生长方面，研究团队利用分子束外延技术（MBE）实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长，并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数，成功实现了β-Ga2O3外延薄膜的均匀生长和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。据悉，β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，简单二元组成，带隙可调，制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。

　　另外，该研究团队在MBE异质外延β-Ga2O3生长机制的基础上，结合半导体光电响应原理，探究了异质外延β-Ga2O3薄膜日盲光电探测器的性能指标。研究团队利用臭氧作为前驱体所制备的金属-半导体-金属结构日盲光电探测器表现出7.5 pA的暗电流、1.31×107的光暗电流比、1.31×1015 Jones的比检测率和 53 A/W的光响应度，表现出相当优异的对日盲紫外光的探测性能。