pg电子最新网站入口上海积塔半导体申请元器件样品去层装置专利提高制样效率

　　pg电子最新网站入口上海积塔半导体申请元器件样品去层装置专利提高制样效率金融界 2024 年 9 月 3 日消息，天眼查知识产权信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“元器件样品去层装置“，公开号 CN6.8 pg电子最新网站入口，申请日期为 2024 年 5 月。

　　专利摘要显示pg电子最新网站入口，本发明提供了一种元器件样品去层装置，所述装置包括槽体、多个隔断平板、多个承载网；两个相邻所述隔断平板形成一清洗池，且两个相邻所述隔断平板之间设置有一所述承载网；所述承载网相对于水平面倾斜，且多个所述承载网与水平面之间的倾斜角不相同。本发明的元器件样品去层装置使得在去层工艺过程中实现元器件样品与杂质的分离分层，保持样品表面的洁净，从源头上减少去层工艺过程中引入的样品脏污问题，提高制样效率，利于后续元器件的加工工序，提高器件的良率pg电子最新网站入口。